在微電子封裝可靠性研究中，鹵素離子（如Cl?、Br?）對(duì)金-鋁鍵合界面的腐蝕機(jī)制已獲得廣泛關(guān)注，然而水分（H?O）在這一過程中的具體作用仍存在顯著學(xué)術(shù)爭(zhēng)議。通過長期實(shí)驗(yàn)觀察與失效分析，科準(zhǔn)測(cè)控發(fā)現(xiàn)H?O可能并非單純的介質(zhì)，而是在不同環(huán)境條件下扮演著催化劑、反應(yīng)物乃至材料侵蝕源的多重復(fù)雜角色。

一、水分的多重作用機(jī)制

作為催化劑的觀點(diǎn)

Klein的研究（約需10000 ppm水汽濃度）指出，H₂O可在鹵素腐蝕過程中起到催化作用，加速鹵素離子與鋁的化學(xué)反應(yīng)，而不直接參與消耗。這一機(jī)制在高溫高濕（如HAST）環(huán)境中尤為顯著。

作為氧化劑的可能性

在高壓、低溫條件下，H₂O可能直接作為氧化劑，促使金-鋁界面形成空洞或?qū)訝罱饘匍g化合物（如AuAl?、AuAl），導(dǎo)致鍵合強(qiáng)度退化。此類結(jié)構(gòu)缺陷會(huì)顯著增加界面電阻，引發(fā)早期失效。

作為材料降解的產(chǎn)物

即使在非高壓環(huán)境中，高溫（180–200℃）亦可能導(dǎo)致環(huán)氧樹脂等封裝材料分解，釋放出內(nèi)部結(jié)合的水汽。Thomas的密封器件實(shí)驗(yàn)表明，此類內(nèi)生水分可能干擾對(duì)鹵素單獨(dú)作用的分析，使得實(shí)驗(yàn)條件復(fù)雜化。

二、鹵素污染的獨(dú)立作用與水分協(xié)同的必要性

上表系統(tǒng)列舉了鍵合焊盤上鹵素污染的常見來源及其影響。值得注意的是：

在無后續(xù)塑封的實(shí)驗(yàn)中，即使鍵合前在焊盤上引入氟、氯、溴等鹵素，經(jīng)熱應(yīng)力試驗(yàn)后僅觀察到預(yù)期的界面退化，而未出現(xiàn)典型的鍵合腐蝕失效。

多數(shù)高溫應(yīng)力試驗(yàn)（如300℃烘烤、175℃老化）均在干燥氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行，排除了液態(tài)水或高濕氣氛的影響。在這些條件下，未觀察到鹵素單獨(dú)導(dǎo)致的鍵合強(qiáng)度顯著退化。

這表明，鹵素污染本身雖可降低鍵合可靠性，但其引發(fā)嚴(yán)重電化學(xué)腐蝕往往需要水分的協(xié)同參與。尤其在塑封器件中，高溫高濕（85℃/85% RH）或高壓加速測(cè)試（HAST）所提供的水汽環(huán)境，可能是觸發(fā)腐蝕的必要條件。

三、污染層厚度與失效模式的關(guān)聯(lián)

研究進(jìn)一步指出，鍵合失效常發(fā)生于污染層厚度足以阻礙鍵合形成時(shí)，而非單純因化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致已成型鍵合點(diǎn)的退化。這解釋了為何在干燥環(huán)境中，即使存在鹵素污染，鍵合界面仍可維持一定穩(wěn)定性；而一旦引入水分，薄層污染亦可能通過電化學(xué)機(jī)制引發(fā)漸進(jìn)性腐蝕。

四、學(xué)術(shù)共識(shí)的缺失與研究展望

目前，關(guān)于水分與鹵素在鍵合腐蝕中的具體相互作用路徑仍缺乏統(tǒng)一結(jié)論。爭(zhēng)議焦點(diǎn)包括：水分是作為反應(yīng)物直接參與氧化，還是僅作為離子遷移的介質(zhì)？不同濕度條件下，腐蝕產(chǎn)物（如Al(OH)?、Al?O?或鹵化鋁）的生成機(jī)制如何？內(nèi)生水分（來自材料分解）與外界滲入水汽的作用是否等效？這些問題的厘清，需通過可控環(huán)境對(duì)比實(shí)驗(yàn)與界面微觀分析進(jìn)一步驗(yàn)證。

水分在鹵素誘導(dǎo)鍵合腐蝕中扮演著關(guān)鍵而復(fù)雜的角色。其作用不僅取決于環(huán)境濕度，也與溫度、壓力、封裝材料特性及污染物狀態(tài)密切相關(guān)。在實(shí)際可靠性評(píng)估中，需綜合考慮水汽來源、濃度及其與鹵素的協(xié)同效應(yīng)，以更準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)鍵合界面在長期使用中的行為。

科準(zhǔn)測(cè)控在微電子失效分析領(lǐng)域，可提供包括溫濕度循環(huán)測(cè)試、界面成分分析（如TOF-SIMS、EDS）以及密封器件內(nèi)部氣氛檢測(cè)在內(nèi)的綜合解決方案，協(xié)助客戶辨析多重因素耦合下的失效機(jī)理，為產(chǎn)品可靠性設(shè)計(jì)提供實(shí)證依據(jù)。